14nm FinFETプロセス技術を採用したSamsung Exynos 7 Octaの量産を開始
- 2015年02月17日
- その他モバイル端末
韓国のSamsung Electronicsはモバイル端末向けのチップセットとして14nm FinFET(立体構造トランジスタ)プロセス技術を採用した「Samsung Exynos 7 Octa」の量産を開始したと発表した。
14nm FinFETプロセス技術を採用することでSamsung Exynos 5433で採用されている20nm HK/MGプロセス技術と比べて、処理性能は20%の高速化、消費電力は35%の低減、生産性は30%の増加を実現する。
Samsung Electronicsが次期フラッグシップのスマートフォンとして開発しているSamsung GALAXY S6やSamsung GALAXY S Edgeで採用される可能性が高い。
これまでSamsung ElectronicsのフラッグシップとなるスマートフォンはSamsung ExynosのモデルとQualcomm Snapdragonのモデルが用意されていたが、次期フラッグシップではQualcomm Snapdragonを使用しないとの情報も出ており、すべてのモデルが14nm FinFETプロセス技術を採用したSamsung Exynos 7 Octaを搭載する可能性がある。
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