10nm FinFETプロセス採用のSamsung Exynos 9 (8895)を発表、ギガビットLTEモデムを統合

韓国のSamsung Electronicsはモバイル端末向けチップセット「Samsung Exynos 9 Series (Exynos 8895)」を発表した。

Samsung Exynosシリーズのチップセットとなり、10nm FinFETプロセス技術を採用している。

14nmプロセス技術と比べて27%の性能向上と40%の消費電力削減を実現する。

CPUは性能重視でSamsung Electronicsが開発した第2世代の独自CPUがクアッドコア、消費電力重視のARM Cortex-A53がクアッドコアで、計オクタコアとなる。

GPUは比類のないマルチメディアエクスペリエンスを提供するARM Mali-G71 GPUを搭載し、4K UHD解像度の動画を120fpsで録画および再生できる。

ギガビットLTEに対応した通信モデムを統合している。

下りはLTE DL Category 16およびキャリアアグリゲーション(CA)を高度化した5コンポーネント・キャリア・キャリアアグリゲーション(5CC CA)に対応し、通信速度は下り最大1Gbpsに達する。

上りはLTE UL Category 13および2コンポーネント・キャリア・キャリアアグリゲーション(2CC CA)に対応し、通信速度は上り最大150Mbpsとなる。

すでに量産を開始しており、Samsung Electronicsの次期フラッグシップのスマートフォンと見込まれるSamsung Galaxy S8およびSamsung Galaxy S8+で採用される可能性がある。

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